Framleiðandi Vöru númer:
IPP023NE7N3G
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP023NE7N3G-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Birgðir:
12806621
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP023NE7N3G Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™ 3
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
75 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
14400 pF @ 37.5 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP023N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP000938080
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPP023NE7N3GXKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
460
HLUTARNÁMR
IPP023NE7N3GXKSA1-DG
Einingaverð
2.96
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRL60S216
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRF6727MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IRF6717MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
