Framleiðandi Vöru númer:
IRL60S216
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRL60S216-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
12806624
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRL60S216 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®, StrongIRFET™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.95mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
255 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
15330 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IRL60S216
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
IRL60S216CT
INFINFIRL60S216
SP001573906
2156-IRL60S216
IRL60S216DKR
IRL60S216TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPB019N06L3GATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
7726
HLUTARNÁMR
IPB019N06L3GATMA1-DG
Einingaverð
1.57
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF6727MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IRF6717MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
SPP15P10P
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
