IPP020N06NAKSA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPP020N06NAKSA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPP020N06NAKSA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 29A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Birgðir:

500 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804649
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPP020N06NAKSA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
29A (Ta), 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 143µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7800 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3W (Ta), 214W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP020

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
IPP020N06N
IPP020N06NAKSA1-DG
448-IPP020N06NAKSA1
IPP020N06N-DG
SP000917406

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IRFH5304TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN

infineon-technologies

IRF7805ZGTRPBF

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

infineon-technologies

IRF6609

MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

infineon-technologies

IRF7413GTRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO