Framleiðandi Vöru númer:
IRF6609
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF6609-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Birgðir:
12804652
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF6609 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
31A (Ta), 150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
69 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6290 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta), 89W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DIRECTFET™ MT
Pakki / hulstur
DirectFET™ Isometric MT
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,800
Önnur nöfn
IRF6609DKR
*IRF6609
SP001523768
IRF6609TR
IRF6609CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF7413GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
IPW60R099C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
IPW90R1K2C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO247-3
