Framleiðandi Vöru númer:
IPN95R2K0P7ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPN95R2K0P7ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 950 V 4A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Birgðir:
23838 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12805025
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPN95R2K0P7ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
950 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 80µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
330 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
IPN95R2
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
IPN95R2K0P7ATMA1DKR
SP001821834
IPN95R2K0P7ATMA1TR
IPN95R2K0P7ATMA1CT
2156-IPN95R2K0P7ATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPI111N15N3GAKSA1
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
IPU80R600P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
IPP26CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3
