Framleiðandi Vöru númer:
IPI111N15N3GAKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI111N15N3GAKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
500 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12805026
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI111N15N3GAKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
83A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11.1mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 160µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3230 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
214W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI111
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
2156-IPI111N15N3GAKSA1-448
IPI111N15N3 G
SP000680232
IPI111N15N3 G-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPU80R600P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
IPP26CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3
IRF7807TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO