Framleiðandi Vöru númer:
IPN50R1K4CEATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPN50R1K4CEATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 4.8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Birgðir:
17419 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803223
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPN50R1K4CEATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
178 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-3
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
IPN50R1
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
2156-IPN50R1K4CEATMA1-448
IPN50R1K4CEATMA1-DG
IPN50R1K4CEATMA1TR
IPN50R1K4CEATMA1CT
SP001460674
IPN50R1K4CEATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPI076N15N5AKSA1
MV POWER MOS
IPB029N06N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
