Framleiðandi Vöru númer:
IPT020N10N3ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPT020N10N3ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Birgðir:
2232 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803227
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPT020N10N3ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Not For New Designs
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
300A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 272µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
11200 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-HSOF-8-1
Pakki / hulstur
8-PowerSFN
Grunnvörunúmer
IPT020
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
IPT020N10N3ATMA1CT
IPT020N10N3
IPT020N10N3ATMA1TR
-IPT020N10N3ATMA1
SP001100160
IPT020N10N3ATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDBL86062-F085
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
3980
HLUTARNÁMR
FDBL86062-F085-DG
Einingaverð
3.38
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPW60R280P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
IRFH5110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
IRF7704TRPBF
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP
