Framleiðandi Vöru númer:
IPL65R1K5C6SATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPL65R1K5C6SATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 3A (Tc) 26.6W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
Birgðir:
12799981
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPL65R1K5C6SATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ C6
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
225 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
26.6W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TSON-8-2
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
IPL65R1
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
SP001163086
INFINFIPL65R1K5C6SATMA1
2156-IPL65R1K5C6SATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
GC11N65D5
FRAMLEIÐANDI
Goford Semiconductor
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
GC11N65D5-DG
Einingaverð
0.65
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPI50R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
BSS119E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPN60R360P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
