Framleiðandi Vöru númer:
GC11N65D5
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
GC11N65D5-DG
Lýsing:
N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Birgðir:
13001688
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
GC11N65D5 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
G
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
901 pF @ 50 V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
78W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-DFN (4.9x5.75)
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
3141-GC11N65D5DKR
4822-GC11N65D5TR
3141-GC11N65D5TR
3141-GC11N65D5CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP026N04NF2SAKMA1
TRENCH PG-TO220-3
MSC035SMA070J
MOSFET SIC 700 V 35 MOHM SOT-227
SIJH5800E-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
