Framleiðandi Vöru númer:
SIJH5800E-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIJH5800E-T1-GE3-DG
Lýsing:
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 30A (Ta), 302A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Birgðir:
4025 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13001695
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIJH5800E-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Ta), 302A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7730 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 8 x 8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 8 x 8
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
742-SIJH5800E-T1-GE3DKR
742-SIJH5800E-T1-GE3CT
742-SIJH5800E-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
MCU12P06Y-TP
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
G400P06T
MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
R6055VNZC17
600V 23A TO-3PF, PRESTOMOS WITH
