Framleiðandi Vöru númer:
IPI80N04S303AKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI80N04S303AKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
12804072
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI80N04S303AKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 120µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7300 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
188W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI80N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
IPI80N04S3-03
INFINFIPI80N04S303AKSA1
2156-IPI80N04S303AKSA1
IPI80N04S3-03-DG
SP000261238
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPB80N04S403ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
911
HLUTARNÁMR
IPB80N04S403ATMA1-DG
Einingaverð
1.01
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STI270N4F3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
888
HLUTARNÁMR
STI270N4F3-DG
Einingaverð
2.55
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR5505
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
IRF1405PBF
MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
IPW65R080CFDFKSA2
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3