Framleiðandi Vöru númer:
IPW65R080CFDFKSA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW65R080CFDFKSA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Birgðir:
154 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804075
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW65R080CFDFKSA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ CFD2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
43.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 17.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.8mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5030 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
391W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW65R080
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
SP001987362
IPW65R080CFDFKSA2-DG
448-IPW65R080CFDFKSA2
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR9120NTRPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
IRF7809AV
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
IRF1405S
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
