Framleiðandi Vöru númer:
IPI072N10N3GXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI072N10N3GXKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
12800148
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI072N10N3GXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4910 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI072
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
IPI072N10N3 G-DG
IPI072N10N3 G
SP000680674
2156-IPI072N10N3GXKSA1-448
IPI072N10N3G
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPC302N15N3X1SA1
MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL
IPI60R165CPAKSA1
MOSFET N-CH 650V 21A TO262-3
IPD65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3