Framleiðandi Vöru númer:
IPI60R165CPAKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI60R165CPAKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 21A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 192W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
12800159
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI60R165CPAKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Not For New Designs
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 790µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2000 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
192W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI60R165
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
IPI60R165CP
SP000276736
IPI60R165CP-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STI24N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
1180
HLUTARNÁMR
STI24N60M2-DG
Einingaverð
1.07
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STI21N65M5
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STI21N65M5-DG
Einingaverð
1.92
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STI24NM60N
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
981
HLUTARNÁMR
STI24NM60N-DG
Einingaverð
2.27
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
IPD50R380CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
IPB70N12S3L12ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
