Framleiðandi Vöru númer:
IPI041N12N3GAKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI041N12N3GAKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
494 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12799957
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI041N12N3GAKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
120 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
13800 pF @ 60 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI041
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
IPI041N12N3GAKSA1-DG
SP000652748
IPI041N12N3 G
IPI041N12N3G
IPI041N12N3 G-DG
448-IPI041N12N3GAKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB65R045C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
BSS126 E6327
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
IAUT300N08S5N014ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
