Framleiðandi Vöru númer:
IPB65R045C7ATMA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB65R045C7ATMA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
1636 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12799958
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB65R045C7ATMA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ C7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
46A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.25mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4340 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
227W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB65R045
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB65R045C7ATMA2CT
IPB65R045C7ATMA2TR
IPB65R045C7ATMA2DKR
SP002447548
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSS126 E6327
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
IAUT300N08S5N014ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
BSC094N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
