IPI028N08N3GHKSA1

Framleiðandi Vöru númer:

IPI028N08N3GHKSA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPI028N08N3GHKSA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 80 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Birgðir:

RFQ á netinu

12801377

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IPI028N08N3GHKSA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Infineon Technologies

Pakkning

-

Röð

OptiMOS™

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

80 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 270µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

206 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

14200 pF @ 40 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

300W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

PG-TO262-3

Pakki / hulstur

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Grunnvörunúmer

IPI028N

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

IPI028N08N3GHKSA1-DG

Gagnaplakks

IPI028N08N3GHKSA1

Gagnablöð

IPP,IPI028N08N3 G

Aukainformation

Venjulegur pakki

500

Önnur nöfn

IPI028N08N3 G

SP000395160

IPI028N08N3 G-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

infineon-technologies

IPL65R210CFDAUMA1

MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON

infineon-technologies

IPD075N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

infineon-technologies

IPB79CN10N G

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

BSZ0945NDXTMA1

TRENCH <= 40V