Framleiðandi Vöru númer:
IPL65R210CFDAUMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPL65R210CFDAUMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 16.6A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Birgðir:
12801380
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPL65R210CFDAUMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 700µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1850 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
151W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-VSON-4
Pakki / hulstur
4-PowerTSFN
Grunnvörunúmer
IPL65R210
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
IFEINFIPL65R210CFDAUMA1
SP000949256
2156-IPL65R210CFDAUMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD075N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPB79CN10N G
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
BSZ0945NDXTMA1
TRENCH <= 40V
