Framleiðandi Vöru númer:
IPD65R950CFDATMA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD65R950CFDATMA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 3.9A (Tc) 36.7W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
2500 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801237
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD65R950CFDATMA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ CFD2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14.1 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
380 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
36.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD65R950
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD65R950CFDATMA2-DG
SP001977060
448-IPD65R950CFDATMA2TR
448-IPD65R950CFDATMA2DKR
448-IPD65R950CFDATMA2CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD60R2K1CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
IPB037N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
IPB180P04P4L02ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7