Framleiðandi Vöru númer:
IPD60R2K1CEAUMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 2.3A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
10286 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801242
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD60R2K1CEAUMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 760mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 60µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
140 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
38W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD60R
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD60R2K1CEAUMA1CT
IPD60R2K1CEAUMA1DKR
IPD60R2K1CEAUMA1TR
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
SP001396904
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB037N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
IPB180P04P4L02ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
IRFR3706
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK