IPD65R190C7ATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPD65R190C7ATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPD65R190C7ATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Birgðir:

3671 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800572
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPD65R190C7ATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ C7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1150 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
72W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD65R

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD65R190C7ATMA1DKR
IPD65R190C7ATMA1TR
SP000928648
IPD65R190C7ATMA1CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IPA60R099P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP

infineon-technologies

IPP08CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3

infineon-technologies

IPB020N10N5LFATMA1

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

infineon-technologies

IPB65R150CFDATMA2

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3