Framleiðandi Vöru númer:
IPB020N10N5LFATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB020N10N5LFATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
12800578
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB020N10N5LFATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™-5
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 270µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
840 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
313W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB020
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB020N10N5LFATMA1-DG
IPB020N10N5LFATMA1CT
SP001503854
IPB020N10N5LFATMA1DKR
IPB020N10N5LFATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB65R150CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
IPB240N03S4LR9ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3