Framleiðandi Vöru númer:
IPD60R460CEATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD60R460CEATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 9.1A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
12803394
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
UjVf
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD60R460CEATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
460mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 280µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
620 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
74W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD60R
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
2156-IPD60R460CEATMA1
IPD60R460CEATMA1CT
2156-IPD60R460CEATMA1-ITTR-DG
IFEINFIPD60R460CEATMA1
IPD60R460CEATMA1TR
SP001276024
IPD60R460CEATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FCD7N60TM
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
5978
HLUTARNÁMR
FCD7N60TM-DG
Einingaverð
0.91
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXTY8N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
20
HLUTARNÁMR
IXTY8N65X2-DG
Einingaverð
1.22
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF9Z34NSPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
IPP65R065C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
IRFSL4127PBF
MOSFET N-CH 200V 72A TO262