Framleiðandi Vöru númer:
IRFSL4127PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFSL4127PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 72A TO262
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 72A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Birgðir:
1919 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803397
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFSL4127PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
72A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5380 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IRFSL4127
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
448-IRFSL4127PBF
SP001557538
IRFSL4127PBF-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
IPD60R2K0C6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
BSC080P03LSGAUMA1
MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8