Framleiðandi Vöru númer:
IPD60R3K3C6
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD60R3K3C6-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
12804769
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD60R3K3C6 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™ C6
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
93 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
18.1W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD60R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SP000799130
IPD60R3K3C6DKR
IPD60R3K3C6BTMA1
IPD60R3K3C6TR
IPD60R3K3C6CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STD2N62K3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
2192
HLUTARNÁMR
STD2N62K3-DG
Einingaverð
0.54
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPD60R3K3C6ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
4490
HLUTARNÁMR
IPD60R3K3C6ATMA1-DG
Einingaverð
0.22
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
SIHD2N80E-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1
HLUTARNÁMR
SIHD2N80E-GE3-DG
Einingaverð
0.48
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR2405TRLPBF
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
IPB60R600CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A D2PAK
IRF7853PBF
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
