Framleiðandi Vöru númer:
SIHD2N80E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHD2N80E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
1 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786126
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHD2N80E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.75Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
315 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
62.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SIHD2
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIHD2N80E-GE3CT
SIHD2N80E-GE3TRINACTIVE
SIHD2N80E-GE3DKR
SIHD2N80E-GE3CT-DG
SIHD2N80E-GE3DKR-DG
SIHD2N80E-GE3TR-DG
SIHD2N80E-GE3DKRINACTIVE
SIHD2N80E-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STD2N62K3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
2192
HLUTARNÁMR
STD2N62K3-DG
Einingaverð
0.54
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SPD02N80C3ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
8940
HLUTARNÁMR
SPD02N80C3ATMA1-DG
Einingaverð
0.43
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHD7N60ET4-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
SIS444DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
SUM110N06-3M9H-E3
MOSFET N-CH 60V 110A TO263
