Framleiðandi Vöru númer:
IPD60R360P7SE8228AUMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD60R360P7SE8228AUMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
2439 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801278
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD60R360P7SE8228AUMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 140µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
555 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
41W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD60R
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD60R360P7SE8228AUMA1-DG
SP002367806
448-IPD60R360P7SE8228AUMA1DKR
448-IPD60R360P7SE8228AUMA1TR
448-IPD60R360P7SE8228AUMA1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPD60R360P7SAUMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
69
HLUTARNÁMR
IPD60R360P7SAUMA1-DG
Einingaverð
0.33
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB90R340C3ATMA1
MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
IPI200N25N3GAKSA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
IPB072N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
