Framleiðandi Vöru númer:
IPB072N15N3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB072N15N3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Birgðir:
4910 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801285
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB072N15N3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5470 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB072
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB072N15N3G
IPB072N15N3GATMA1TR
IPB072N15N3 GTR-DG
IPB072N15N3 GCT-DG
IPB072N15N3GATMA1DKR
SP000386664
IPB072N15N3 G-DG
IPB072N15N3GATMA1CT
IPB072N15N3 G
IPB072N15N3 GCT
IPB072N15N3 GDKR-DG
IPB072N15N3 GDKR
2156-IPB072N15N3GATMA1
INFINFIPB072N15N3GATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSO110N03MSGXUMA1
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
IPD046N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
IPI65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
