Framleiðandi Vöru númer:
IPD50N08S413ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD50N08S413ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 50A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Birgðir:
4608 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800476
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD50N08S413ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 33µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1711 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
72W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3-313
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD50
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD50N08S413ATMA1-DG
SP000988948
448-IPD50N08S413ATMA1CT
448-IPD50N08S413ATMA1TR
448-IPD50N08S413ATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD50R399CP
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
IPD135N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPB067N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK