Framleiðandi Vöru númer:
IPD50R399CP
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD50R399CP-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Birgðir:
12800481
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD50R399CP Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™ CP
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 330µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
890 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
83W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3-11
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD50R
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SP000234984
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPD50R399CPATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPD50R399CPATMA1-DG
Einingaverð
0.82
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
STD13N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
8724
HLUTARNÁMR
STD13N60M2-DG
Einingaverð
0.81
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STD11NM50N
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STD11NM50N-DG
Einingaverð
0.85
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD135N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPB067N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
IPD14N06S280ATMA2
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
