Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
IPD25CN10NGBUMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD25CN10NGBUMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
RFQ á netinu
12803024
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD25CN10NGBUMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2070 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
71W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD25C
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
IPD25CN10NGBUMA1-DG
Gagnaplakks
IPD25CN10NGBUMA1
Gagnablöð
IPx2xCN10N G
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD25CN10NG
IPD25CN10NGBUMA1CT
IPD25CN10N GCT
IPD25CN10N G-DG
IPD25CN10N GCT-DG
IPD25CN10N GDKR-DG
IPD25CN10N G
IPD25CN10N GTR-DG
IPD25CN10NGBUMA1TR
SP000096456
IPD25CN10N GDKR
IPD25CN10NGBUMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFR540ZTRLPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
31805
HLUTARNÁMR
IRFR540ZTRLPBF-DG
Einingaverð
0.48
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SQD40N10-25_GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
3930
HLUTARNÁMR
SQD40N10-25_GE3-DG
Einingaverð
2.83
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDD3672
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
25573
HLUTARNÁMR
FDD3672-DG
Einingaverð
0.64
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDD86102LZ
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
20852
HLUTARNÁMR
FDD86102LZ-DG
Einingaverð
0.62
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDD86102
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
9890
HLUTARNÁMR
FDD86102-DG
Einingaverð
0.66
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFU1205
MOSFET N-CH 55V 44A IPAK
IRF7424GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
IPA65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
IRF3205STRRPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK