SQD40N10-25_GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SQD40N10-25_GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SQD40N10-25_GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Birgðir:

3930 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12916224
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SQD40N10-25_GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3380 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
136W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SQD40

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SQD40N10-25_GE3-DG
Gagnaplakks
SQD40N10-25_GE3
Gagnablöð
SQD40N10-25

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
SQD40N10-25_GE3CT
SQD40N10-25_GE3DKR
SQD40N10-25_GE3TR
SQD40N10-25_GE3-DG
SQD40N10-25-GE3
SQD40N10-25-GE3-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

vishay-siliconix

SI7464DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR876DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHG47N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC