Framleiðandi Vöru númer:
IPD135N08N3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD135N08N3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 45A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
9544 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800320
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD135N08N3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1730 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
79W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD135
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD135N08N3GATMA1TR
Q10113537
SP001127822
IPD135N08N3GATMA1DKR
IPD135N08N3GATMA1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB024N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
BUZ30AHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
BSO201SPHXUMA1
MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
