Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
IPB65R190C7ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB65R190C7ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
RFQ á netinu
12855755
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB65R190C7ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™ C7
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1150 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
72W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB65R
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
IPB65R190C7ATMA1-DG
Gagnaplakks
IPB65R190C7ATMA1
Gagnablöð
IPB65R190C6ATMA1 Datasheet
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB65R190C7ATMA1-DG
SP000929424
IPB65R190C7ATMA1DKR
IPB65R190C7ATMA1TR
IPB65R190C7ATMA1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
TK20G60W,RVQ
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
TK20G60W,RVQ-DG
Einingaverð
1.14
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
R6020ENJTL
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
9101
HLUTARNÁMR
R6020ENJTL-DG
Einingaverð
1.15
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SIHB22N60ET5-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
SIHB22N60ET5-GE3-DG
Einingaverð
1.79
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPB65R190C7ATMA2
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
630
HLUTARNÁMR
IPB65R190C7ATMA2-DG
Einingaverð
1.25
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
IPB60R120P7ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
2950
HLUTARNÁMR
IPB60R120P7ATMA1-DG
Einingaverð
1.47
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
RJK6011DJE-00#Z0
MOSFET N-CH 600V 100MA TO92MOD
UPA2813T1L-E1-AT
MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
NTMTS0D6N04CTXG
MOSFET N-CH 40V 533A
NTD5414NT4G
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK