Framleiðandi Vöru númer:
IPB60R120P7ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB60R120P7ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
2950 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803530
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB60R120P7ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 410µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1544 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
95W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB60R120
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB60R120P7ATMA1-DG
IPB60R120P7ATMA1TR
2156-IPB60R120P7ATMA1
SP001664922
IPB60R120P7ATMA1DKR
IPB60R120P7
IPB60R120P7ATMA1CT
IFEINFIPB60R120P7ATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD80N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
IPL65R195C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
IRFR3707
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK