IPD80R2K8CEATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPD80R2K8CEATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPD80R2K8CEATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Birgðir:

4870 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803536
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPD80R2K8CEATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 120µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
290 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
42W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD80R2

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
INFINFIPD80R2K8CEATMA1
SP001130970
IPD80R2K8CEATMA1-DG
2156-IPD80R2K8CEATMA1
IPD80R2K8CEATMA1CT
IPD80R2K8CEATMA1DKR
IPD80R2K8CEATMA1TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IPP041N12N3GXKSA1

MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3

infineon-technologies

IRFR3303TR

MOSFET N-CH 30V 33A DPAK

infineon-technologies

IPB320N20N3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK

infineon-technologies

IRFHM8329TRPBF

MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN