Framleiðandi Vöru númer:
IPD80R2K8CEATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD80R2K8CEATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
4870 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803536
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD80R2K8CEATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 120µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
290 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
42W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD80R2
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
INFINFIPD80R2K8CEATMA1
SP001130970
IPD80R2K8CEATMA1-DG
2156-IPD80R2K8CEATMA1
IPD80R2K8CEATMA1CT
IPD80R2K8CEATMA1DKR
IPD80R2K8CEATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP041N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
IRFR3303TR
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
