Framleiðandi Vöru númer:
IPB100N04S4H2ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB100N04S4H2ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Birgðir:
4996 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801210
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB100N04S4H2ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 70µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7180 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
115W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB100
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB100N04S4-H2
2156-IPB100N04S4H2ATMA1
IPB100N04S4H2ATMA1CT
IPB100N04S4-H2-DG
IPB100N04S4H2ATMA1DKR
SP000711274
IPB100N04S4H2ATMA1TR
INFINFIPB100N04S4H2ATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD05N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPP50R299CPHKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
