Framleiðandi Vöru númer:
IPP50R299CPHKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP50R299CPHKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 550 V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
12801212
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP50R299CPHKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
550 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1190 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP50R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SP000236070
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STP12N50M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
850
HLUTARNÁMR
STP12N50M2-DG
Einingaverð
0.64
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXFP20N50P3M
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
57
HLUTARNÁMR
IXFP20N50P3M-DG
Einingaverð
2.12
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
IPI90R500C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
BSP613P
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4