Framleiðandi Vöru númer:
IPB073N15N5ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB073N15N5ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Birgðir:
2934 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800569
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB073N15N5ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™-5
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
114A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 57A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 160µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4700 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
214W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB073
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB073N15N5ATMA1DKR
IPB073N15N5ATMA1TR
IPB073N15N5ATMA1CT
SP001180660
IPB073N15N5ATMA1-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPA60R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
IPD65R190C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
IPA60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
