IPB073N15N5ATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPB073N15N5ATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPB073N15N5ATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Birgðir:

2934 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800569
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPB073N15N5ATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™-5
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
114A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 57A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 160µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4700 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
214W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB073

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB073N15N5ATMA1DKR
IPB073N15N5ATMA1TR
IPB073N15N5ATMA1CT
SP001180660
IPB073N15N5ATMA1-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IPA60R600P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 6A TO220

infineon-technologies

IPD65R190C7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3

infineon-technologies

IPA60R099P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP

infineon-technologies

IPP08CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3