Framleiðandi Vöru númer:
IPB065N15N3GE8187ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB065N15N3GE8187ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Birgðir:
12848732
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB065N15N3GE8187ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
130A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7300 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-7
Pakki / hulstur
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grunnvörunúmer
IPB065N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB065N15N3 G E8187DKR
IPB065N15N3 G E8187TR-DG
SP000939336
IPB065N15N3 G E8187CT-DG
IPB065N15N3GE8187ATMA1DKR
IPB065N15N3GE8187ATMA1CT
IPB065N15N3 G E8187DKR-DG
IPB065N15N3 G E8187
IPB065N15N3GE8187ATMA1TR
IPB065N15N3GE8187
IPB065N15N3 G E8187-DG
IPB065N15N3 G E8187CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPB065N15N3GATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
3304
HLUTARNÁMR
IPB065N15N3GATMA1-DG
Einingaverð
3.65
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
AOTF18N65
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3F
FDB0105N407L
MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
NTMFS5C673NLT1G
MOSFET N-CH 60V 5DFN
