Framleiðandi Vöru númer:
IPB065N15N3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB065N15N3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Birgðir:
3304 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800644
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB065N15N3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
130A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7300 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-7
Pakki / hulstur
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grunnvörunúmer
IPB065
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP000521724
IPB065N15N3GATMA1TR
IPB065N15N3 GCT
IPB065N15N3 GDKR
IPB065N15N3 GCT-DG
IPB065N15N3 GTR-DG
IPB065N15N3GATMA1DKR
2156-IPB065N15N3GATMA1TR
IPB065N15N3GATMA1CT
IPB065N15N3 G
IPB065N15N3G
IPB065N15N3 G-DG
IPB065N15N3 GDKR-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB024N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
IPD15N06S2L64ATMA2
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
IPD60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO252-3
