Framleiðandi Vöru númer:
IPB054N08N3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB054N08N3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
2888 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800290
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB054N08N3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4750 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB054
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB054N08N3 GCT-DG
IPB054N08N3GATMA1CT
SP000395166
IPB054N08N3 GDKR
IPB054N08N3GATMA1TR
IPB054N08N3GATMA1DKR
IPB054N08N3 GTR-DG
IPB054N08N3 G
IPB054N08N3 GDKR-DG
IPB054N08N3 G-DG
IPB054N08N3 GCT
IPB054N08N3G
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
IPD13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7