Framleiðandi Vöru númer:
IPB025N10N3GE8187ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB025N10N3GE8187ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Birgðir:
12800296
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Not For New Designs
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 275µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
14800 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-7
Pakki / hulstur
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grunnvörunúmer
IPB025
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB025N10N3 G E8187-DG
SP000939338
IPB025N10N3 G E8187
IPB025N10N3GE8187ATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPB025N10N3GATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
627
HLUTARNÁMR
IPB025N10N3GATMA1-DG
Einingaverð
3.25
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD60R1K4C6
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
IPC60R180P7X7SA1
MOSFET N-CH DIE
IPB65R190CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
