Framleiðandi Vöru númer:
IPB025N10N3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB025N10N3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Birgðir:
627 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800393
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB025N10N3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 275µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
14800 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-7
Pakki / hulstur
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grunnvörunúmer
IPB025
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB025N10N3GATMA1DKR
IPB025N10N3G
IPB025N10N3 GDKR-DG
IPB025N10N3 G
IPB025N10N3GATMA1CT
IPB025N10N3 GTR
IPB025N10N3 GTR-DG
IPB025N10N3 G-DG
SP000469888
IPB025N10N3 GCT-DG
IPB025N10N3GATMA1TR
IPB025N10N3 GDKR
IPB025N10N3 GCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STH310N10F7-6
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
975
HLUTARNÁMR
STH310N10F7-6-DG
Einingaverð
2.58
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD390P06NMSAUMA1
MOSFET P-CH 60V TO252-3
IPP030N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
IPD15N06S2L64ATMA1
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
