Framleiðandi Vöru númer:
IPB031N08N5ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB031N08N5ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
5518 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800398
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB031N08N5ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 108µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6240 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
167W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB031
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IPB031N08N5ATMA1CT
IPB031N08N5ATMA1-DG
SP001227048
IPB031N08N5ATMA1DKR
IPB031N08N5ATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB50R299CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
IPD90N06S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3