Framleiðandi Vöru númer:
IPD90N06S4L03ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD90N06S4L03ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Birgðir:
12800404
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD90N06S4L03ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
13000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3-11
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD90
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
SP000374326
IPD90N06S4L-03
IPD90N06S4L-03-DG
IPD90N06S4L03ATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRLR3114ZTRPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
15206
HLUTARNÁMR
IRLR3114ZTRPBF-DG
Einingaverð
0.52
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPD90N06S4L03ATMA2
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
5731
HLUTARNÁMR
IPD90N06S4L03ATMA2-DG
Einingaverð
0.84
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD30N06S2L23ATMA1
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
IPB90N06S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
IPB60R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK