IPB016N08NF2SATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPB016N08NF2SATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPB016N08NF2SATMA1-DG

Lýsing:

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 170A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Birgðir:

960 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12996897
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPB016N08NF2SATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
StrongIRFET™ 2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
170A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.65mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 267µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
12000 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB016N

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
448-IPB016N08NF2SATMA1DKR
SP005571685
448-IPB016N08NF2SATMA1TR
448-IPB016N08NF2SATMA1CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
stmicroelectronics

STHU36N60DM6AG

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V

micro-commercial-components

MCG35P04-TP

P-CHANNEL MOSFET,DFN3333

nxp-semiconductors

BUK752R3-40E,127

NEXPERIA BUK752R3-40E - 120A, 40

onsemi

MT9M131C12STC-MI-DR

CMOS IMAGE SENSOR SYSTEM-ON-CHIP