Framleiðandi Vöru númer:
BUK752R3-40E,127
Product Overview
Framleiðandi:
NXP Semiconductors
Völu númer:
BUK752R3-40E,127-DG
Lýsing:
NEXPERIA BUK752R3-40E - 120A, 40
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 120A (Ta) 293W (Ta) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
1270 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12996919
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BUK752R3-40E,127 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
NXP Semiconductors
Pakkning
Bulk
Röð
TrenchMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Ta)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
109.2 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8500 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
293W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
333
Önnur nöfn
2156-BUK752R3-40E,127-954
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
Vendor Undefined
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI vottun
Tengdar vörur
MT9M131C12STC-MI-DR
CMOS IMAGE SENSOR SYSTEM-ON-CHIP
IPB80P03P4L07ATMA2
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
