IPA80R650CEXKSA2
Framleiðandi Vöru númer:

IPA80R650CEXKSA2

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPA80R650CEXKSA2-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 8A (Ta) 33W (Tc) Through Hole TO-220-3F

Birgðir:

459 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804965
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPA80R650CEXKSA2 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 470µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
33W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3F
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
IPA80R650

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001313394
ROCINFIPA80R650CEXKSA2
2156-IPA80R650CEXKSA2

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IRF630NS

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

infineon-technologies

IPI147N12N3GAKSA1

MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3

infineon-technologies

IPAN50R500CEXKSA1

MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220

infineon-technologies

IRFH5300TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 40A PQFN