Framleiðandi Vöru númer:
IPA80R650CEXKSA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPA80R650CEXKSA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 8A (Ta) 33W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Birgðir:
459 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804965
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPA80R650CEXKSA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 470µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
33W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3F
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
IPA80R650
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001313394
ROCINFIPA80R650CEXKSA2
2156-IPA80R650CEXKSA2
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF630NS
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
IPI147N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
IPAN50R500CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
